ReRAM, ou cellules de mémoire résistives, est un type de mémoire non volatile qui partage certaines similitudes avec la mémoire à changement de phase, car les deux sont considérés comme des types de technologies de memristor.
ReRAM, également appelé RRAM (Resistive Random Access Memory), est considéré comme un type de technologie de memristor un dispositif électronique passif à deux bornes conçu pour exprimer uniquement la propriété d'un composant électronique qui lui permet de rappeler la dernière résistance qu'il avait auparavant. étant coupée («memristance»).
Comment fonctionne ReRAM
ReRAM stocke les données en utilisant des ions (atomes chargés) comme des changements de résistance électrique, plutôt que des électrons. Selon les chercheurs de la J lich Aachen Research Alliance (JARA), la mémoire résistive peut réduire la consommation d'énergie des systèmes informatiques modernes tout en augmentant les performances.
Dans les cellules de mémoire à commutation résistive (ReRAM), les ions se comportent à l'échelle nanométrique de la même manière qu'une batterie. Les cellules comportent deux électrodes, par exemple en argent et en platine, sur lesquelles les ions se dissolvent puis précipitent à nouveau. Cela modifie la résistance électrique, qui peut être exploitée pour le stockage de données. En outre, les processus de réduction et d'oxydation ont également un autre effet: ils génèrent une tension électrique. [La source: JARA]
Actuellement, un certain nombre d'entreprises ont des versions brevetées de ReRAM. Différentes formes de ReRAM sont basées sur l'utilisation de différents matériaux diélectriques, y compris des oxydes métalliques.