Samsung et IBM annoncent des puces « verticales » : une consommation d’énergie ultra-faible


Samsung et IBM ont combiné leurs connaissances et leurs efforts pour potentiellement créer les puces du futur : voici comment elles fonctionnent et quels en sont les avantages

L'innovation annoncée par Samsung et IBM ces derniers jours montre les progrès que nous pourrions faire si deux géants de leur calibre relevaient plus souvent les défis de la technologie. Les puces vont changer à l'avenir, et beaucoup, selon Samsung et IBM.

Celle-ci, annoncée par les deux géants lors du 67e International Electron Devices Meeting (IEDM), est potentiellement une révolution qui fera date. Les deux géants de l'informatique et de la technologie ont expliqué au monde qu'ils avaient passé beaucoup de temps à essayer de trouver comment faire évoluer les puces actuelles dotées de l'architecture FinFET. Ils s'améliorent d'année en année, mais on a de plus en plus le sentiment que les différences entre une génération et la suivante sont de plus en plus floues, et que nous approchons d'un pic d'évolution au-delà duquel nous ne pouvons plus aller.

Comment sont les nouvelles puces de Samsung et d'IBM

La conférence de San Francisco, l'IEDM, s'est donc ouverte sur le tintement des cloches de l'innovation Samsung-IBM. Il s'agit d'une nouvelle architecture pour les puces, ou plus techniquement d'un nouveau design, qui consiste à empiler les transistors, c'est-à-dire - en simplifiant beaucoup - les dispositifs individuels qui sont physiquement connectés les uns aux autres pour fabriquer les puces.

Dans les produits actuels, il faut imaginer les transistors côte à côte, comme s'ils étaient disposés sur un plan horizontal, reposant sur une surface (évidemment dans des espaces infinitésimaux). Cette architecture est appelée FinFET et existe depuis de nombreuses années : toutes les puces les plus célèbres, même les plus récentes comme le Snapdragon 8 Gen 1 ou le MediaTek Dimensity 9000, sont des conceptions FinFET.

Samsung et IBM voient les puces de demain comme ayant une nouvelle architecture, appelée Vertical Transport Field Effect Transistors ou VTFET, en termes plus compréhensibles des puces dans lesquelles les transistors ne sont plus côte à côte mais disposés les uns sur les autres. Dans les FinFET, le courant circule horizontalement d'un côté de la puce à l'autre, tandis que dans les VTFET, le courant circule verticalement, c'est-à-dire du sommet bas représenté par le transistor à la base à celui qui fait office de sommet haut, celui du sommet supérieur.


Les avantages des puces "verticales"

Samsung et IBM affirment que la nouvelle architecture VTFET présente au moins deux avantages principaux. La première est qu'il sera possible de doubler la puissance des puces en moins de deux ans, et la seconde est la plus grande efficacité que l'on peut obtenir grâce à la circulation "verticale" du courant, c'est-à-dire une consommation plus faible pour une même puissance ou une puissance plus élevée pour une même consommation.

C'est le principal avantage, du moins selon les deux entreprises, qui ont impressionné avec une estimation de 85% de consommation en moins à puissance égale avec les puces actuelles, ce qui signifie, toujours selon les estimations de Samsung et IBM, que dans quelques années on pourrait même approcher la semaine d'autonomie sur une charge que garantissaient des produits glorieux comme le premier Nokia 3310.

Il est prématuré de dire combien de temps il faudra pour que l'innovation de Samsung et IBM se concrétise : les deux entreprises n'ont pas fixé de délai dans lequel la technologie VTFET arrivera sur le marché, mais nous espérons que ce sera bientôt.


Laisser un commentaire