Un transistor à effet de champ, ou FET, est un type de transistor qui utilise un champ électrique pour contrôler le flux de courant. Il s’agit d’un dispositif à trois bornes, avec une source, un drain et une grille. Le FET est utilisé dans de nombreuses applications, notamment les amplificateurs, les commutateurs et les circuits numériques.
Le FET fonctionne en contrôlant le flux de courant à travers un canal semi-conducteur. Une tension est appliquée à l’électrode de grille, ce qui crée un champ électrique. Ce champ modifie la conductivité du canal, ce qui permet au courant de circuler de la source au drain. Le FET est un dispositif à tension contrôlée, ce qui signifie que la tension de la grille détermine la quantité de courant qui circule dans le canal.
Il existe deux principaux types de FET : le FET à jonction (JFET) et le FET à métal-oxyde-semiconducteur (MOSFET). Les JFET utilisent une jonction pn pour créer le canal, tandis que les MOSFET utilisent une couche isolante entre la grille et le canal. Les MOSFET sont plus courants dans l’électronique moderne, car ils sont plus faciles à fabriquer et peuvent être plus petits.
Pour tester un FET, on peut utiliser un multimètre pour mesurer la résistance entre la grille et la source. Si la résistance est élevée, le FET est éteint, et si la résistance est faible, le FET est allumé. Le drain et la source peuvent également être testés à l’aide du multimètre, en inversant la polarité de la mesure pour tester la présence d’une diode.
L’effet transistor est le phénomène qui consiste à utiliser un petit signal pour contrôler un signal plus important. Le transistor a été inventé en 1947 par John Bardeen, Walter Brattain et William Shockley aux laboratoires Bell. Il a révolutionné l’électronique en remplaçant les tubes à vide et en rendant possible le développement de dispositifs électroniques plus petits et plus efficaces.
Les transistors bipolaires et les MOSFET sont deux types de transistors couramment utilisés dans les circuits électroniques. Les transistors bipolaires utilisent à la fois des électrons et des trous pour conduire le courant, tandis que les MOSFET n’utilisent que des électrons. Les MOSFET sont généralement plus rapides et plus efficaces que les transistors bipolaires et sont plus souvent utilisés dans les circuits numériques. Les transistors bipolaires sont encore utilisés dans les circuits analogiques, où leur capacité à amplifier de petits signaux est utile.
En conclusion, le transistor à effet de champ (FET) est un composant essentiel de l’électronique moderne, et il est important pour tout amateur d’électronique de comprendre son fonctionnement. Grâce à sa capacité à contrôler le flux de courant à l’aide d’un champ électrique, le FET est un élément essentiel pour les amplificateurs, les commutateurs et les circuits numériques. En testant les FET et en comprenant l’effet transistor, on peut acquérir une compréhension plus profonde des principes sous-jacents de l’électronique moderne.
Le choix du bon transistor à effet de champ (FET) dépend de plusieurs facteurs tels que la tension et l’intensité nominales requises, le type d’application, la fréquence de fonctionnement et le niveau de performance souhaité. Parmi les paramètres importants à prendre en compte lors du choix d’un FET figurent la tension drain-source maximale (VDS), le courant drain maximal (ID), le seuil de tension grille-source (VGS) et la transconductance (gm), qui décrit la relation entre la tension de grille et le courant drain. D’autres facteurs à prendre en compte sont les caractéristiques de bruit, l’impédance d’entrée et la capacité de sortie du transistor. Il est important de consulter la fiche technique et les notes d’application du transistor pour s’assurer qu’il répond aux exigences spécifiques de l’application.